Dispositivos De Electrónica De Potencia.

Son aquellos semiconductores bastante utilizados en Electrónica de  Potencia estos se pueden 

clasificar en tres grandes grupos, y se hace de acuerdo con su grado de controlabilidad: 

1. Dispositivos No Controlados: Es en este grupo es donde se ubican los diodos. Los estados de conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia.  Por tanto, estos dispositivos no  disponen de ningún terminal de control externo. 

2. Dispositivos Semicontrolados:En este grupo se encuentran, dentro de la familia de los  Tiristores,  los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of Alternating Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de control externa que  se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de 

la puesta en conducción, pero no así del bloqueo del dispositivo. 

3. Dispositivos totalmente controlados:En este grupo encontramos los transistores bipolares BJT (“Bipolar Junction Transistor”), los transistores de efecto de campo MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), los transistores bipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.